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IPD050N03LGBTMA1  与  IPD050N03L G  区别

型号 IPD050N03LGBTMA1 IPD050N03L G
唯样编号 A-IPD050N03LGBTMA1 A-IPD050N03L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ
上升时间 - 13ns
Qg-栅极电荷 - 31nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 38S
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 50A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 3.8ns
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 68W
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 6.7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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IPD050N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.992 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.992
5,000: ¥2.959
10,000: ¥2.926
12,500 对比
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IPD050N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥4.455 

阶梯数 价格
20: ¥4.455
25: ¥3.883
100: ¥3.674
250: ¥3.641
500: ¥3.256
816 对比
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